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Si7629DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
80
10
64
48
32
V GS = 10 V thru 3 V
8
6
4
T C = 25 °C
V GS = 2 V
16
0
2
0
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.0
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
0.020
0.016
0.012
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS = 2.5 V
8500
6800
5100
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.008
V GS = 4.5 V
3400
C rss
0.004
0.000
V GS = 10 V
1700
0
C oss
0
16
32 48
64
80
0
5 10 15
20
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
6
I D = 10 A
V DS = 10 V
1.4
1.2
I D = 20 A
V GS = 10 V
V GS = 2.5 V
V DS = 15 V
4
2
0
V DS = 20 V
1.0
0.8
0.6
0
25
50 75 100
125
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 70556
S12-0679-Rev. C, 26-Mar-12
For technical support, please contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
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